【成果简介】近日，出身上海交通大学赵一新教授（通讯作者），出身王勇博士（第一作者）等人采用PTABr小分子修饰CsPbI3钙钛矿膜表面，其中梯度Br掺杂诱导钙钛矿晶粒长大并提高相稳定性，同时疏水有机PTA阳离子显著提高湿度稳定性，进而制备得到高质量稳定的黑相CsPbI3薄膜，最终得到的器件光电转换效率高达17.06%，为目前已知的无机钙钛矿电池的最高效率。

(c)图b的放大图，体总其显示费米能级附近的DOS。然而，容易由于缺乏对单层1T-WTe2能带结构的充分理解，学术界对此问题仍存在争议。

文献链接：出身ObservationofCoulombgapinthequantumspinHallcandidatesingle-layer1T-WTe2（NatureCommunications，出身2018，DOI：10.1038/s41467-018-06635-x）【通讯作者介绍】：李绍春，南京大学物理学院教授。通过分析，体总研究人员发现该能隙不同于自旋轨道耦合（SOC）带隙，它是由于电子-电子相互作用而打开的库仑能隙。边界处具有拓扑保护的无带隙金属态，容易并具有自旋-动量锁定特性。

出身(e,f)两个典型能量的dI/dV图。利用分子束外延技术进行低维薄膜材料生长，体总并利用高分辨扫描隧道显微镜研究电子/自旋的基态和激发态，寻找和发现新奇的量子特性。

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